返回主站|会员中心|保存桌面|手机浏览
普通会员

基本半导体有限公司

深圳基本半导体有限公司|SiC碳化硅|SiC碳化硅模块|SiC碳化硅...

网站公告
基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。其中650V碳化硅肖特基二极管产品已通过AEC-Q101可靠性测试，其他同平台产品也将逐步完成该项测试。基本半导体碳化硅功率器件产品被广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。
产品分类
  • 暂无分类
站内搜索
 
友情链接
  • 暂无链接
首页 > 供应产品 > SiC碳化硅二极管 SiC MOSFET
SiC碳化硅二极管 SiC MOSFET
点击图片查看原图
产品： 浏览次数：41SiC碳化硅二极管 SiC MOSFET 
品牌： 基本BASiC
SiC： JBS肖特基二极管
SiC： MOSFET
碳化硅： MOSFET模块
单价： 面议
最小起订量：
供货总量：
发货期限： 自买家付款之日起 3 天内发货
有效期至： 长期有效
最后更新： 2021-10-16 11:33
  询价
详细信息
碳化硅MOSFET
产品详情


碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。在新能源汽车电机控制器、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。

新一代采用辅助源极连接方式的碳化硅 MOSFET（TO-247-4）可以进一步降低器件损耗，提升系统 EMI 表现。

MOS.jpg

碳化硅MOSFET

Product

VDS

（V）

ID

(A)

RDS(on)

(mΩ)

Qg

(nC)

Eon

(µJ)

Eoff

(µJ)

Package Name


B1M160120HC 1200 20 160 60 63 72 TO-247-3 样品申请
B1M080120HC 1200 44 80 149 254

180

TO-247-3

样品申请

B1M080120HK
 1200 44 80 149 163 77 TO-247-4 样品申请
B1M032120HC 1200 84 32 314 1215

463

TO-247-3

样品申请

B1M018120HC 1200 114 18 636 1350 7320 TO-247-3 样品申请


碳化硅肖特基二极管
产品详情

碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管，提供行业标准封装，具有优越的性能和极高的工作效率。


肖特基.png


产品优势



未标题-1-01.png 未标题-1-02.png 未标题-1-03.png 未标题-1-04.png
零反向恢复 抗浪涌电流能力强 高温反向漏电低 雪崩耐量高


产品列表


Product DataSheet VRRM
（V） 		IF
(A) 		IFSM
(A) 		VF
(V) 		Ptot
(W) 		QC
(nC) 		Package Name
B1D02065E 333.png 650 2 16 1.4 43 6.8 TO-252-2 样品申请
B1D02065K 333.png 650 2 16 1.4 39 6.8 TO-220-2 样品申请
B1D04065E 333.png 650 4 30 1.4 60 12 TO-252-2 样品申请
B1D04065F 333.png 650 4 30 1.4 68 12 TO-263-2 样品申请
B1D04065K 333.png 650 4 30 1.4 72 12 TO-220-2 样品申请
B1D04065KF 333.png 650 4 30 1.4 30 12 TO-220F-2 样品申请
B2D04065V ‍ 333.png 650
 4 32 1.35 25
 		12 SMBF 样品申请
B1D06065E 333.png 650 6 45 1.43 75 17 TO-252-2 样品申请
B1D06065F 333.png 650 6 45 1.43 89 17 TO-263-2 样品申请
B1D06065K 333.png 650 6 45 1.43 98 17 TO-220-2 样品申请
B1D06065KS 333.png 650 6 45 1.44 70 17 TO-220-isolated 样品申请
B2D06065Q - 650 6 45 1.33 82 17 DFN8*8 样品申请
B1D08065E 333.png 650 8 60 1.44 109 24 TO-252-2 样品申请
B1D08065F 333.png 650 8 60 1.44 112 24 TO-263-2 样品申请
B1D08065K 333.png 650 8 60 1.44 129 24 TO-220-2 样品申请
B1D08065KF - 650 8 - - - - TO-220F-2 样品申请
B1D08065KS - 650 8 - - - - TO-220-isolated 样品申请
B1D10065E

333.png

650 10 75 1.43 117 29 TO-252-2 样品申请
B1D10065F 333.png 650 10 75 1.43 134 29 TO-263-2 样品申请
B1D10065H 333.png 650 10 75 1.43 158 29 TO-247-2 样品申请
B1D10065K 333.png 650 10 75 1.43 128 29 TO-220-2 样品申请
B1D10065KF 333.png 650 10 75 1.43 34 29 TO-220F-2 样品申请
B1D10065KS 333.png 650 10 75 1.43 89 29 TO-220-isolated 样品申请
B2D10065Q 333.png 650 10 80 1.29 126 29 DFN8*8 样品申请
B1D12065K 333.png 650 12 90 1.42 121 38 TO-220-2 样品申请
B1D15065K 333.png 650 15 112 1.42 157 46 TO-220-2 样品申请
B1D16065HC 333.png 650 8*/16** 60* 1.44 168* 24 TO-247-3 样品申请
B1D20065HC 333.png 650 10*/20** 75* 1.45 157* 29 TO-247-3 样品申请
B1D20065K 333.png 650 20 150 1.42 254 64 TO-252-2 样品申请
B1D30065HC - 650 30 - - - - TO-247-3 样品申请
B1D40065H - 650 40 310 1.42 416 130 TO-247-2 样品申请
B1D40065HC 333.png 650 20*/40** 150* 1.42 225* 64 TO-247-3 样品申请
B1D02120E 333.png 1200 2 16 1.42 80 12 TO-252-2 样品申请
B1D02120K 333.png 1200 2 16 1.42 77 12 TO-220-2 样品申请
B1D03120E - 1200 3 - - - - TO-252-2 样品申请
B1D05120E - 1200 5 - - - - TO-252-2 样品申请
B1D05120K - 1200 5 - - - - TO-220-2 样品申请
B1D10120E 333.png 1200 10 75 1.48 143 52 TO-252-2 样品申请
B1D10120H 333.png 1200 10 75 1.48 202 52 TO-247-2 样品申请
B1D10120HC 333.png 1200 5*/10** 60* 1.40* 208* 32* TO-247-3 样品申请
B1D10120K 333.png 1200 10 75 1.48 189 52 TO-220-2 样品申请
B1D16120HC - 1200 8*/16* - - - - TO-247-3 样品申请
B1D20120H 333.png 1200 20 150 1.46 269 101 TO-247-2 样品申请
B1D20120HC 333.png 1200 10*/20** 75* 1.5 202* 52 TO-247-3 样品申请
B1D30120HC - 1200 15*/30** 135* 1.41 286* 83 TO-247-3 样品申请
B1D40120HC 333.png 1200 20*/40** 150* 1.46 269* 101

TO-247-3

样品申请


裸片和晶圆服务
产品详情


基于国际先进的碳化硅外延技术，基本半导体自主研发碳化硅肖特基二极管和碳化硅 MOSFET 芯片产品系列。目前已开发出 650V 和 1200V 碳化硅肖特基二极管及 1200V 碳化硅 MOSFET 裸芯片和晶圆。



initpintu_副本.jpg


碳化硅肖特基二极管

Product VRRM

（V）

IF

(A)

BC1D02065 650 2
BC1D04065
 		650 4
BC1D06065 650 6
BC1D08065 650 8
BC1D10065 650
 10
BC1D12065 650 12
BC1D15065 650 15
BC1D20065 650 20

BC1D02120

1200 2
BC1D05120 1200 5
BC1D10120 1200 10
BC1D15120 1200
 		15
BC1D20120 1200 20
BC1D50120 1200 50


碳化硅MOSFET(1200V)

Product

VDS

（V）

RDS(on)

(mΩ)

BC1M160120

1200

160

BC1M080120

1200

80

BC1M032120 1200 32
BC1M018120 1200 18



询价单
共0条  相关评论