射频易商城_芯片电容_检测微小电容的测频专用芯片③

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导读：很多朋友不知道芯片电容的检测，如何选择芯片电容。射频易商城RFeasy.cn为你解答芯片电容的检测

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用于微小电容检测的测频专用芯片

针对脉冲信号的瞬时测频方法， 也有模拟域和数字域两类方法。 就本课题而言， 电容检测电路可以通过模拟域的方法实现。 大致的原理如下： 由于变容式加速度计中加速度与电容是一一对应的关系， 所以将加速度的检测转化为电容的检测。 再将电容做成振荡器， 那么振荡器输出的信号的频率与电容也具有一一对应的关系， 因此可以说振荡器输出的信号的瞬时频率与加速度是一一对应的关系。用模拟的方式来检测这个瞬时频率的方法大致是： 将振荡器输出的信号送入一个计数器， 计数器的作用是使输出信号的高电平宽度恒定不变， 而周期不断变化。然后将这样的信号通过低通滤波器， 得到信号的频率缓变部分， 这个缓变部分就是与电容对应的频率部分。 这个频率是由电压来表征的。 将这个电压信号输入差分放大器， 得到两路信号的频率差， 再由这个频率差值通过公式反算电容的差值。从而通过电容差值计算得到此时的加速度值。脉冲信号的瞬时测频除了可以用模拟的方法实现外， 还可以用计数的方法实现。 常用的数字频率测量方法有Ｍ法、 Ｔ法、 Ｍ厂ｒ法。 Ｍ法是在给定的闸门时间内测量被测信号的脉冲个数， 进行换算得出被测信号的频率。 这种测量方法的测量精度取决于闸门时间和被测信号的频率。 当被测信号频率较低时将产生较大的误差， 除非闸门时间取得很大， 但是这又与实时性的要求相矛盾。 所以这种方法比较适合测量高频信号的频率。 Ｔ法是在被测信号的单个周期内， 测量标准频率信号的周期数， 经过换算得到被测信号的频率。 这种测量方法的精度取决于被测信号的周期和计时精度， 当被测信号的频率较高时， 对计时精度的要求就很高。 这

种方法比较适合测量较低频率的信号。 Ｍ／Ｔ法具有以上两种方法的优点， 可兼顾低频与高频信号， 提高了精度。 它的核心思想是通过闸门时间与被测信号同步，将闸门时间控制为被测信号周期的整数倍。 但是Ｍ法、 Ｔ法、 Ｍ／Ｔ法都存在± １个字的计数误差， 要减少测量的相对误差的一般方法是增大标准频率信号的频率和闸门时间， 但单纯采用提高标频频率来提高精度是有限的， 因为这要受计数器工作频率的限制； 而且闸门时间也不能太长， 否则就要求计数器有更长的字长， 并且会降低测量速度。 为了解决这两个问题， 出现的多周期完全双同步测频方法。

推荐产品一、丽芯微电4700pF, ≥1G@25V, 单面留边 单层芯片电容

型号：C12-60-25V-472
容值/容差：4700pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥1G@25V
损耗@频率：≤2.5@1MHz
封装尺寸：1.524*1.524*0.150 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。

推荐产品二、丽芯微电47pF, ≥100G@100V, 单面留边 单层芯片电容

型号：C12-20-100V-470
容值/容差：47pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥100G@100V
损耗@频率：≤4.0@1KHz
封装尺寸：0.635*0.635*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。

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